Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0BW - SSD - crittografato - 1 TB - interno - M.2 2280 - PCIe 4.0 x4 (NVMe)

Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0BW - SSD - crittografato - 1 TB - interno - M.2 2280 - PCIe 4.0 x4 (NVMe)

SAMSUNG
1062596
Nuovo
Raggiungi la massima potenza di PCIe 4.0. Sperimenta una velocità competitiva più duratura. La regolazione intelligente del calore del controller incorporato assicura l'efficienza energetica massima, mantenendo contemporaneamente alta velocità e prestazioni, in modo che tu possa sempre rimanere al vertice della tua partita.
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Raggiungi la massima potenza di PCIe 4.0. Sperimenta una velocità competitiva più duratura. La regolazione intelligente del calore del controller incorporato assicura l'efficienza energetica massima, mantenendo contemporaneamente alta velocità e prestazioni, in modo che tu possa sempre rimanere al vertice della tua partita.
  • PCIe 4.0 massimizzato-Velocit├á
    Impulso di velocità enorme, lettura casuale più veloce-/scritture di velocità come 980 PRO. Voli alto durante i giochi, video- e 3D-elaborazione dati, analisi di dati e altro ancora.
  • Rendimento innovativo e efficiente
    Pi├╣ prestazioni energetiche efficienti. Una maggiore potenza solitamente consuma pi├╣ energia elettrica. La 990 PRO consuma meno energia e offre fino a un 50% di pi├╣ potenza per watt rispetto alla 980 PRO. Questo design che risparmia energia consente la massima PCIe 4.0-prestazioni con ottima efficienza energetica.
  • Soluzione termica intelligente
    Velocità oltre il calore. Il controller rivestito di nichel e l'alto moderno algoritmo di regolazione del calore assicurano un rendimento costante. Il dissipatore termico-etichetta controlla il calore del NAND-mentre il Dynamic Thermal Guard mantiene le temperature ottimali.
  • Il Maestro del Creare
    Una migliorazione della lettura casuale di oltre il 55% consente tempi di caricamento pi├╣ rapidi per un realismo di gioco ultrarealistico su PS5- e DirectStorage-PC-Gioca.


Caratteristiche
Capacità di memoria SSD
1 TB
SSD-Fattore di forma
M.2
interfaccia
PCI Express 4.0
NVMe
Sì
Versione NVMe
2.0
Tipo di memoria
V-NAND MLC
Componente per
PC
Crittografia hardware
Sì
Algoritmi di sicurezza supportati
256-bit AES
Velocità di lettura
7.450 MB/s
Velocità di scrittura
6900 MB/s
Lettura casuale (4KB)
1200000 IOPS
Scrittura casuale (4KB)
1.550.000 IOPS
PCI-Interfaccia dati Express-Lane
x4
DevSlp (sospendi dispositivo)-Supporto
Sì
Supporto S.M.A.R.T.
Sì
TRIM-Supporto
Sì
Durata media di funzionamento tra gli interventi (MTBF)
1.500.000 ore
Energia
Tensione di funzionamento
3,3 V
Consumo massimo di energia
7,8 W
Consumo di energia (mediato)
5,4 W
Peso e dimensioni
Larghezza
80 mm
Profondità
2,3 mm
Altezza
22 mm
Peso
9 g
Condizioni di funzionamento
Temperatura di funzionamento
0 - 70 ┬░C
Temperatura di funzionamento minima
0 ┬░C
Massima temperatura di funzionamento
70 ┬░C
Vibrazioni in funzione
1,5 TB
Altre funzioni
Periodo di garanzia
5 anno(i)
Dati di imballaggio
Tipo di imballaggio
Scatola

🔄 Caricamento scheda tecnica Icecat...

SAMSUNG
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Riferimenti Specifici

ean13
8806094215021
MPN
MZ-V9P1T0BW

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