Die Samsung 990 EVO Plus ist ein internes Solid State-Laufwerk, das f├╝r anspruchsvolle Anwendungen entwickelt wurde. Mit einer robusten Kapazit├ñt von 1 TB bietet sie reichlich Speicherplatz f├╝r eine Vielzahl von Dateien und Anwendungen. Das Laufwerk nutzt PCI Express 5.0 und bietet interne Datenraten von bis zu 7150 MB/s, was einen schnellen Datenabruf und minimale Ladezeiten erm├Âglicht. Die V-NAND TLC-Technologie von Samsung verbessert die Leistung und Ausdauer, so dass sie sich sowohl f├╝r den t├ñglichen Gebrauch als auch f├╝r intensive Aufgaben eignet. Dieses Laufwerk ist so konzipiert, dass es einer Reihe von Umgebungsbedingungen standh├ñlt. Es arbeitet effektiv bei Temperaturen von 0┬░C bis 70┬░C und widersteht Lagertemperaturen von -40┬░C bis 85┬░C. Es bietet TRIM-Unterst├╝tzung und einen Auto Garbage Collection Algorithmus, der eine optimale Leistung ├╝ber einen l├ñngeren Zeitraum gew├ñhrleistet. Die Sicherheit wird durch die Hardwareverschl├╝sselung und die Konformit├ñt mit TCG Opal Encryption 2.0 priorisiert, wodurch die Daten vor unbefugtem Zugriff gesch├╝tzt werden.
- Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0 - Disco rigido a stato solido (Solid State Drive)
- Software
- Alta velocità
Con una velocità interna di 7150 MB/s e velocità di scrittura fino a 6300 MB/s, la Samsung 990 EVO Plus offre funzioni di lettura e scrittura veloci che sono essenziali per gli utenti potenti e i giocatori. - Resistenza robusta
Questa SSD è stata progettata per operare in ambienti severi e può resistere a temperature comprese tra -40°C e 85°C, garantendo affidabilità in diverse condizioni. - Sicurezza estesa
Il supporto dispone di una crittografia hardware AES a 256 bit che protegge i dati tramite TCG Opal Encryption 2.0, permettendo agli utenti di conservare le proprie informazioni sensibili in modo sicuro. - Consumo energetico efficiente
Questo supporto funziona con un consumo energetico basso, incluso 5 mW in modalità lettura e 4,2 watt in modalità stand-by, contribuendo così all'economia generale di energia. - Funzionalità tecnologiche migliorate
Equipaggiata con la Tecnologia Intelligent TurboWrite e il Buffer di memoria host (HMB), questa SSD offre prestazioni pi├╣ veloci e un miglioramento dell'efficienza per tutte le applicazioni.
Generale
Tipo di dispositivo
Disco rigido a stato solido (Solid State Drive) - interno
Algoritmo di crittografia
256-bit AES
Tipo di memoria NAND Flash
TLC (Cella a tre livelli)
interfaccia
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Caratteristiche
Tecnologia Intelligent TurboWrite, Tecnologia Samsung V-NAND TLC, Supporto per modalità sonno del dispositivo, Buffer di memoria host (HMB), Supporto TRIM, Algoritmo di raccolta automatica dei rifiuti (Auto Garbage Collection), S.M.A.R.T., IEEE 1667
Potenza
Trasferimento dati interno
7150 MBps (lettura) / 6300 MBps (scrittura)
Massima 4 KB Scrittura Casuale
1350000 IOPS
Letto massimo 4 KB casuale
850.000 IOPS
Fiducia
Tempo Medio Tra Due Frazioni (MTBF)
1.500.000 ore
Estensione e Connettività
Campo di Compatibilità
M.2 2280
Alimentazione
Consum di energia
4,3 Watt (lettura)
4,2 watt (scrittura)
60 mW (stand-by)
5 mW (modalità di sonno)
Requisiti di software e sistema
Software incluso
Samsung Magician Software
Diverso
Materiale della carcassa
Nickelbeschichtung
Garanzia del produttore
Servizio e supporto
Garanzia limitata - 5 anni / 600 TBW
Condizioni Ambientali
Temperatura di funzionamento minima
0 ┬░C
Temperatura di funzionamento massima
70 ┬░C
Resistenza ai colpi (non in funzione)
1.500 g @ 0,5 ms
Resistenza alle vibrazioni (non in funzione)
20 g @ 20-2000 Hz
🔄 Caricamento scheda tecnica Icecat...