Il Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0 offre una capacità di archiviazione di 2 TB con prestazioni elevate. Utilizzando la tecnologia Samsung V-NAND TLC e Intelligent TurboWrite 2.0, questo disco interno a stato solido garantisce trasferimenti dati ad alta velocità con velocità interne di lettura fino a 14.700 MB/s e scrittura fino a 13.400 MB/s. Il formato M.2 2280 lo rende una scelta compatta per vari dispositivi, migliorando la reattività globale del sistema. Progettato per affidabilità, dispone di un dissipatore di calore integrato robusto e supporta TRIM e algoritmi di pulizia del memoria che contribuiscono a mantenere le prestazioni ottimali nel tempo lungo. Conformandosi a NVMe 2.0 e interfaccia PCI Express 5.0 x4, questa SSD è adatta per compiti impegnativi. La tolleranza del dispositivo agli urti e alle vibrazioni garantisce una durata maggiore, mentre la crittografia hardware offre sicurezza dei dati per le informazioni sensibili.
- Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0 - Disco rigido a stato solido (Solid State Drive)
- Software
- Alta Capacità di Memoria
Con 2 TB di spazio di archiviazione, questa SSD offre abbastanza spazio per file e applicazioni grandi e quindi è ideale per gamer, creatori di contenuti e professionisti che necessitano di molto spazio di archiviazione. - Veloci velocità di trasferimento dati
Con velocità interne di trasferimento dati di 14.700 MB/s per la lettura e 13.400 MB/s per la scrittura, questa SSD accellererà il trasferimento dei file e le tempi di caricamento. - Gestione avanzata del calore
Il dissipatore interno di calore raffredda efficacemente e garantisce così prestazioni stabili durante compiti intensivi, prolungando la durata del disco. - Maggior sicurezza dei dati
Questa SSD è dotata di una crittografia hardware AES a 256 bit che offre sicurezza per file sensibili e soddisfa la norma TCG Opal Encryption 2.0. - Progettazione duratura
Questa SSD è progettata per resistere a shock fino a 1500 g e offre una valutazione di affidabilità di 1,5 milioni di ore MTBF, garantendo così durata e affidabilità in diversi ambienti.
Generale
Tipo di dispositivo
Disco rigido a stato solido (Solid State Drive) - interno
Algoritmo di crittografia
256-bit AES
Tipo di memoria NAND Flash
TLC (Cella a tre livelli)
interfaccia
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Caratteristiche
Supporto TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, Supporto per modalità di sonno del dispositivo, Tecnologia Samsung V-NAND TLC, dissipatore di calore integrato, Tecnologia Intelligent TurboWrite 2.0, compatibile con PlayStation, NVMe 2.0, S.M.A.R.T.
Potenza
Trasferimento dati interno
14700 MBps (lettura) / 13400 MBps (scrittura)
Massima 4 KB Scrittura Casuale
2600000 IOPS
Letto massimo 4 KB casuale
1850000 IOPS
Fiducia
Tempo Medio Tra Due Frazioni (MTBF)
1.500.000 ore
Estensione e Connettività
Campo di Compatibilità
M.2 2280
Alimentazione
Consum di energia
8,1 Watt (lettura)
7,9 Watt (scrittura)
4,8 Watt (standby)
4 mW (modalità di sonno)
Requisiti di software e sistema
Software incluso
Samsung Magician Software
Diverso
Dettagli della confezione
Scatola
Garanzia del produttore
Servizio e supporto
Garanzia limitata - 5 anni / 1200 TBW
Condizioni Ambientali
Temperatura di funzionamento minima
0 ┬░C
Temperatura di funzionamento massima
70 ┬░C
Temperatura Minima di Conservazione
-40 ┬░C
Massima temperatura di conservazione
85 ┬░C
Umidità atmosferica ammissibile in funzione
5 - 95 % (non condensante)
Resistenza ai colpi (non in funzione)
1500 g @ 0,5 ms semiciclo sinusoidale
Resistenza alle vibrazioni (non in funzione)
20 g @ 20-2000 Hz
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